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BZX85C62-TAP是DIODE ZENER 62V 1.3W DO41,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计为与磁带盒(TB)替代包装一起使用,单位重量如数据表注释所示,用于0.010935盎司,提供安装类型特征,如通孔、高度设计为2.6 mm,以及4.1 mm长度,该装置也可以用作2.6mm宽。此外,包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-41,配置为单一,公差为±5%,最大功率为1.3W,电压齐纳标称Vz为62V,阻抗最大Zzt为125欧姆,电流反向泄漏Vr为500nA@47V,Pd功耗为1.3W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为62 V,电压容差为6%,电压温度系数为0.0775%/C,齐纳电流为16 mA,Zz齐纳阻抗为125欧姆,Ir反向电流为500nA。
BZX85C62-TR是DIODE ZENER 62V 1.3W DO41,包括125欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于16 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.6 mm,提供Vz齐纳电压特性,如62 V,电压齐纳标称Vz设计用于62V,以及6%的电压容差,该装置也可用作0.078%/C电压温度系数。此外,单位重量为0.010935盎司,该设备的公差为±5%,该设备具有DO-41供应商设备包装,系列为AEC-Q101,最大功率为1.3W,Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+175℃,长度为4.1 mm,Ir反向电流为500 nA,阻抗最大Zzt为125 Ohm,高度为2.6 mm,电流反向泄漏Vr为500nA@47V,配置为单一。
BZX85C62是SUMMIT制造的二极管齐纳单62V 5%1.3W 2引脚DO-41。BZX85C62采用DO-41封装,是二极管齐纳-单体的一部分,支持二极管齐纳单体62V 5%1.3W 2引脚DO-41。
BZX85C62RL,带有MOT/ON制造的EDA/CAD模型。BZX85C62RL采用DO-41封装,是IC芯片的一部分。