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BZX85C12-TAP是DIODE ZENER 12V 1.3W DO41，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，提供安装类型特征，如通孔、高度设计为2.6 mm，以及4.1 mm长度，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大值Zzt为350欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@9.1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为12.05 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.065%/C，齐纳电流为88 mA，Zz齐纳阻抗为9欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C12-TR是DIODE ZENER 12V 1.3W DO41，包括9欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于88 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如12.05 V，电压齐纳标称Vz设计用于12V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.065%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W；包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为9 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@9.1V，配置为单一。
BZX85C13是DIODE ZENER 13V 1W DO41，包括单一配置，它们设计为在500nA@9.1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如10欧姆，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为5.21 mm，它的最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包为DO-41，公差为±6%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为13V，Vz齐纳电压为13 V，宽度为2.72 mm，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆。
BZX85C13_T50R，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于磁带和卷轴（TR）封装，供应商设备封装如数据表注释所示，用于DO-41，提供DO-204AL、DO-41、轴向等封装外壳特征，其工作温度范围为-65°C~200°C，以及500nA@9.1V电流反向泄漏Vr，该设备还可以用作1W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为13V，该设备提供10欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有1.2V@200mA电压正向Vf最大If，公差为±6%。
