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BZX85C10-TR是DIODE ZENER 10V 1.3W DO41,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计用于带卷(TR)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.010935盎司,具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长的安装样式特征,该装置也可以用作2.6mm宽。此外,包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-41,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为1.3W,电压齐纳标称Vz为10V,阻抗最大值Zzt为7欧姆,电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V,Pd功耗为1.3W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为10 V,电压容差为6%,电压温度系数为0.06%/C,齐纳电流为105 mA,Zz齐纳阻抗为7欧姆,Ir反向电流为500 nA。
BZX85C11是DIODE ZENER 11V 1W DO41,包括8欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于20 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.72 mm,提供Vz齐纳电压特性,如11 V,电压齐纳标称Vz设计用于11V,以及5%电压容差,该设备也可以用作1.2V@200mA正向电压Vf Max If。此外,单位重量为0.008642 oz,该设备的公差为±5%,该设备具有供应商设备包的DO-41,功率最大值为1W,Pd功耗为1 W,包装为散装,包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-65°C~200°C,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+200℃,长度为5.21 mm,Ir反向电流为500 nA,阻抗最大值Zzt为8 Ohm,高度为2.72 mm,电流反向泄漏Vr为500nA@7.7V,配置为单一。
BZX85C11_T50R,带电路图,包括500nA@7.7V电流反向泄漏Vr,设计用于在8欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为1W最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-41,该设备提供±5%的容差,该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为11V。
BZX85C11_T50A,带EDA/CAD型号,包括通孔安装型,设计用于磁带盒(TB)封装,供应商设备封装如数据表注释所示,用于DO-41,提供DO-204AL、DO-41、轴向、阻抗最大Zzt等封装外壳功能,设计工作电阻为8欧姆,工作温度范围为-65°C~200°C,该器件也可以用作500nA@7.7V电流反向泄漏Vr。此外,功率最大值为1W,该设备提供11V电压齐纳标称Vz,该设备具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If,容差为±5%。