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BZX84B6V2LT1G是DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3，其中包括BZX84B6M2系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表所示，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±2%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@4V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.2 V，电压容差为2%，电压温度系数为2.05 mV/K，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为3uA。
BZX84B6V2LT1是DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3，包括6.2V电压齐纳标称Vz，设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±2%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），功率最大值设计为225MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有10欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@4V。
BZX84B6V2-TP，带电路图，包括3μA@4V电流反向泄漏Vr，它们设计为在10欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴（TR）包装中工作，该设备也可作为最大功率350mW使用。此外，供应商设备包为SOT-23，该设备的容差为±2%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.2V。
