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BZX84B3V9-HE3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000310盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±2%,最大功率为300mW,电压齐纳标称Vz为3.9V,最大阻抗Zzt为90欧姆,反向电流泄漏Vr为3μa@1V,Pd功耗为300mW,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vz齐纳电压为3.9 V,电压容差为2%,电压温度系数为-0.3 mV/C,Zz齐纳阻抗为90欧姆,Ir反向电流为3 uA。
BZX84B3V9-HE3-18带有用户指南,包括90欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于3.9V Vz齐纳电压,数据表中显示了3.9V齐纳标称Vz,提供2%的电压容差特性,电压温度系数设计用于-0.3mV/C,以及0.000310oz单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOT-23-3,该设备为AEC-Q101系列汽车产品,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为300mW,Pd功耗为300mW;包装为胶带和卷筒(TR)交替包装,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为3 uA,阻抗最大Zzt为90 Ohm,反向电流Vr为3μA@1V,配置为单一。
BZX84B3V9-V-GS08,带有VISHAY制造的电路图。BZX84B3V9-V-GS08采用SOT23-3封装,是IC芯片的一部分。
BZX84B3W,PANJIT制造的EDA/CAD模型。BZX84B3W采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。