9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-12TTS08-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-12TTS08-M3参考价格为3.24000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-12TTS08-M3封装/规格：SCR 800V 12.5A TO220AB。您可以下载VS-12TTS08-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-12TQ045STRPBF是DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK，包括肖特基二极管产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表中显示了用于12TQ045STRRBF的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为表面安装，设备在D2PAK供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1.75mA@45V，电压正向Vf Max If为560mV@15A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为15A，电容Vr F为900pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在30 A时为0.71 V，Ir反向电流为1750 uA，如果正向电流为15 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为990A。
VS-12TQ045STRRHM3，带用户指南，包括560mV@15A正向电压Vf Max。如果设计为在45V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该D2PAK提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.75mA@45V，电流平均整流Io为15A，电容Vr F为900pF@5V，1MHz。
VS-12TQ045STRR-M3，带电路图，包括900pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于15A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1.75mA@45V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，该包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为560mV@15A。
