9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-30TPS08-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-30TPS08-M3参考价格$4.85000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-30TPS08-M3封装/规格：SCR 800V 30A TO247AC。您可以下载VS-30TPS08-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-30MQ040HM3/5AT，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A C（SMA），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为500μA@40V，该器件提供510mV@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有40V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为134pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VS-30MQ040-M3/5AT是DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC，包括510mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-214AC、SMA封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有500μa@40V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为3A，电容Vr F为134pF@10V，1MHz。
带有电路图的VS-30HFUR-200，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在35μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~125°C，以及DO-203AB、DO-5、，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为80ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有DO-203AB供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.45V@30A。
