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2N6565是SCR SENS GATE 400V 0.8A TO-92，包括EC103xx/SxSx系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供通孔等安装方式功能，包装箱设计用于TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA），其工作温度范围为-40°C~110°C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-92，该设备提供5mA电流保持Ih Max，该设备具有400V电压关断状态，电压门触发器Vgt Max为800mV，电流门触发器Igt Max为200μa，电压开状态Vtm Max为1.7V，电流开状态It AV Max为510mA，电流开态It RMS Max为800mA，电流关断状态Max为1μa，电流非重复#浪涌50 60Hz Itsm为16A、20A，SCR类型为灵敏门，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，额定重复关断状态电压VDRM为400 V，保持电流Ih Max为5 mA，门触发电压Vgt为0.8 V，门触发电流Igt为200 uA，且导通状态RMS电流It RMS为0.8A，且非重复导通状态电流为20A，且关断状态泄漏电流VDRM IDRM为0.001mA，且最大栅极峰值反向电压为1.2V，且Vf正向电压为1.7V。
2N6550是JFET JFET N沟道，包括-20 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在10 V Vds漏极-源极间击穿电压下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道中，提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为400 mW，以及卷筒封装，该装置也可用作TO-46-3包装箱。此外，安装类型为通孔，器件提供100 uA Id连续漏极电流，器件具有-3 V的栅源截止电压，正向跨导最小值为25 mS，漏极到源极电压Vdss为100 mA，配置为单一。
2N656是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN晶体管。是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持双极晶体管-BJT NPN晶体管、双极（BJ）晶体管。
