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BZT52B8V2-HE3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计为使用胶带和卷轴(TR)替代包装包装,包装箱如SOD-123中使用的数据表注释所示,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型设计为表面安装,以及SOD-123供应商设备包,该装置也可用作±2%公差。此外,最大功率为410mW,该器件提供8.2V电压齐纳标称Vz,该器件具有4.5欧姆阻抗最大Zzt,电流反向泄漏Vr为100nA@6V,Pd功耗为500 mW,其最大工作温度范围为+150 C,Vz齐纳电压为8.2 V,电压容差为2%,电压温度系数为0.7 mV/C,齐纳电流为40mA,Zz齐纳阻抗为7欧姆,Ir反向电流为100nA。
BZT52B8V2-HE3-18带用户指南,包括7欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于40 mA齐纳电流,数据表注释中显示了用于8.2 V的Vz齐纳电压,提供电压齐纳标称Vz特性,如8.2V,电压容差设计为2%,以及0.7 mV/C电压温度系数,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备提供汽车AEC-Q101系列,该设备的最大功率为410mW,Pd功耗为500mW,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为SOD-13,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为表面安装,其最大工作温度范围为+150 C,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为4.5 Ohm,电流反向泄漏Vr为100nA@6V。
BZT52B8V2LP-7,电路图由DIODES制造。BZT52B8V2LP-7在DFN1006封装中提供,是IC芯片的一部分。