2N6027中，2N6028首选器件可编程单结晶体管可编程单晶体管触发器设计用于使工程师能够“只需选择两个电阻值即可编程”“单结特性，如RBB、h、IV和IP。应用包括晶闸管触发器、振荡器、脉冲和定时电路。由于阳极门的可用性，这些器件也可用于特殊晶闸管应用。该封装采用廉价的to−92塑料封装，以满足高容量要求易于适用于自动插入设备。功能•可编程−RBB、h、IV和IP•低开启状态电压−1.5 V最大@IF=50 mA•低栅极到阳极泄漏电流−10 nA最大值•高峰值输出电压−11 V典型值•低偏置电压−0.35 V典型值（RG=10 kW）•可提供无Pb封装-http://onsemi.comPUT 40伏，300 mW G A K 1 2 3 TO−92（TO−226AA）外壳029 16型标记图2N 602x AYWW G G*有关无铅策略和焊接细节的更多信息，请下载SOLDERM/D on半导体焊接和安装技术参考手册。©Semiconductor Components Industries，LLC，2006年5月，2006−版本6 1 2N602x=器件代码x=7或8 A=组装位置Y=年份WW=工作周G=无铅封装（注：Microdot可能位于任一位置）引脚分配1阳极2栅极3阴极订购信息请参阅本数据表第5页封装尺寸部分中的详细订购和装运信息。首选设备是未来使用和最佳总体价值的推荐选择。出版物订单号：2N6027/D 2N6027、2N6028最大额定值（TJ=25°C，除非另有说明）额定符号值单位功耗-减额高于25°C DC正向阳极电流-减额超过25°C PF 1/qJA IT 300 mW 4.0 mW/°C 150 mA 2.67 mA/°C DC栅极电流-重复峰值正向电流100 ms脉宽，1%占空比20 ms脉宽，1%占空比-IG ITRM“50 1.0 2.0 mA A无重复峰值正向电流10 ms脉宽ITSM 5.0 A栅极到阴极正向电压-栅极到阴极反向电压-栅极-阳极反向电压-阳极到阴极电压-（注1）电容放电能量（注2）VGKF VGKR VGAR VAK E 40*5.0 40±40 250 V V V mJ功耗（注3）PD 300 mW工作温度TOPR−50至+100°C结温TJ−50至+125°C存储温度范围Tstg−55至+150°C应力超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值仅为应力额定值。不暗示在推荐操作条件以上的功能操作。长时间暴露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备的可靠性*表示JEDEC注册数据1。阳极正极，RGA=1000 W阳极负极，RGA=开路2。E=0.5 CV2电容器放电en
