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2N3019是TRANS NPN 80V 1A TO-5，包括2N3019系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于TO-205AA、TO-5-3金属罐，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-5供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为800mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为1A，集电器-发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@500mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@50mA、500mA，集电器截止最大值为10μa（ICBO），其最大工作温度范围为+200℃，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为500 mV，集电极基极电压VCBO为140 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为1 A，增益带宽积fT为100 MHz，并且连续集电极电流为1A，并且在150mA 10V时DC集电极基极增益hfe Min为40。
2N3020是双极晶体管-BJT NPN Gen Pur SS，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N3020系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于800 mW，提供零件别名功能，如BK，封装设计为批量工作，以及to-39封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为1 a，增益带宽积fT为100 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流集电极基极增益hfe Min为30，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，集电极-发射极饱和电压为0.5V，集电极-基极电压VCBO为140V。
2N3019S是双极晶体管-BJT NPN晶体管，包括通孔安装型，它们设计用于to-39封装外壳。
2N3019A，带有ST制造的EDA/CAD模型。2N3019AA采用TO-18封装，是IC芯片的一部分。
