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2N3019是TRANS NPN 80V 1A TO-5,包括2N3019系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了零件别名,用于BK,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于TO-205AA、TO-5-3金属罐,以及通孔安装类型,该设备也可以用作TO-5供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为800mW,该设备具有晶体管型NPN,集电器Ic最大值为1A,集电器-发射极击穿最大值为80V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@500mA、10V,Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@50mA、500mA,集电器截止最大值为10μa(ICBO),其最大工作温度范围为+200℃,集电极-发射极电压VCEO Max为80 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为500 mV,集电极基极电压VCBO为140 V,发射极基极电压VEBO为7 V,最大直流集电极电流为1 A,增益带宽积fT为100 MHz,并且连续集电极电流为1A,并且在150mA 10V时DC集电极基极增益hfe Min为40。
2N3020是双极晶体管-BJT NPN Gen Pur SS,包括NPN晶体管极性,它们设计为与2N3020系列一起工作,Pd功耗如数据表注释所示,用于800 mW,提供零件别名功能,如BK,封装设计为批量工作,以及to-39封装盒,该器件也可以用作通孔安装型,它的最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,该器件的最大直流集电极电流为1 a,增益带宽积fT为100 MHz,发射极基极电压VEBO为7 V,直流集电极基极增益hfe Min为30,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为80 V,集电极-发射极饱和电压为0.5V,集电极-基极电压VCBO为140V。
2N3019S是双极晶体管-BJT NPN晶体管,包括通孔安装型,它们设计用于to-39封装外壳。
2N3019A,带有ST制造的EDA/CAD模型。2N3019AA采用TO-18封装,是IC芯片的一部分。