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Q2008NH4RP是TRIAC ALTERNISTOR 200V 8A TO263，包括Qxx08xH4系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263（D2Pak）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供35mA电流保持Ih最大值，该设备具有200V电压关断状态，电压门触发器Vgt最大值为1.3V，电流门触发器Igt最大值为35mA，电流开启状态It RMS最大值为8A，电流非重复#浪涌50 60Hz Itsm为83A、100A，三端双向可控硅类型为交替-无缓冲，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，额定重复断开状态电压VDRM为200 V，保持电流Ih Max为35 mA，栅极触发电压Vgt为1.3 V，栅极触发电流Igt为35 mA；导通状态RMS电流it RMS为8 A，非重复导通状态电流为83 A 100 A，并且关断状态泄漏电流VDRM IDRM是10uA，并且接通状态电压是1.6V。
Q2008N4TP是TRIAC 200V 8A TO263，包括200V电压关断状态，它们设计用于1.3V电压门触发器Vgt Max，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供TRIAC类型功能，如标准，供应商设备包设计用于to-263（D2Pak）以及Qxx08x4系列，该器件也可以用作200V额定重复关断状态电压VDRM。此外，包装为管式，该器件采用TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该器件具有1.6V的导通电压，导通RMS电流为8 a，关断泄漏电流VDRM IDRM为50 uA，非重复导通电流为83 a 100 a，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+125℃，保持电流Ih Max为50 mA，栅极触发电压Vgt为2.5 V，栅极触发电流Igt为25 mA，电流开启状态it RMS Max为8A，电流非重复性浪涌50 60Hz Itsm为83A、100A，电流保持Ih Max是50mA，电流门触发Igt Max为25mA，配置为Single。
Q2008N4RP是TRIAC 200V 8A TO263，包括单一配置，它们设计用于25mA电流门触发器Igt Max，电流保持Ih Max如数据表注释所示，用于50mA，提供电流无代表#浪涌50 60Hz Itsm功能，如83A、100A、电流开启状态，RMS Max设计用于8A，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备在TO-263（D2Pak）供应商设备包中提供，该设备具有三端双向可控硅类型标准，电压门触发器Vgt最大值为1.3V，电压关断状态为200V。
