9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计和生产的BC847RAZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BC847RAZ的参考价格为0.40000美元。Nexperia USA Inc.BC847RAZ包装/规格：BC847RA/SOT1268/DFN1412-6。您可以下载BC847RAZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC847QAPNZ，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-XFDFN外露垫，安装类型设计为表面安装，以及DFN1010B-6供应商设备封装，该器件还可以用作350mW最大功率。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有45V的集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA、5V，Vce饱和最大Ib Ic为100mV@500μa、10mA，集流器截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为230mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为300 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，且发射极基极电压VEBO为6V，且最大DC集电极电流为100mA，且增益带宽乘积fT为100MHz，且连续集电极电流是100mA，并且DC集电极基极增益hfe Min为200，且DC电流增益hfe Max为450mA。
带用户指南的BC847QASZ，包括45V集电极-发射极击穿最大值，设计用于300mV@5mA，100mA Vce饱和最大值Ib-Ic，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供供应商设备包功能，如DFN1010B-6，系列设计用于汽车，AEC-Q101，以及350mW功率最大值，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为6-XFDFN暴露焊盘，该器件为表面安装安装型，该器件具有100MHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为15nA（ICBO）。
带电路图的BC847QASX，请联系技术支持团队了解更多BC847QA SX信息。
BC847QAS，带有NEXPERIA制造的EDA/CAD模型。BC847QAS采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
