9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBC856BDW1T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBC856BDW1T3G参考价格为0.41000美元。onsemi SBC856BDW1T3G包装/规格：TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6。您可以下载SBC856BDW1T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBC856BDW1T1G是TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363，包括BC856B系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供380mW最大功率，该设备具有晶体管型2 PNP（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为65V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为380 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-65V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为-5V，增益带宽乘积fT为100MHz，连续集电极电流为-0.1A，直流集电极基极增益hfe Min为220，直流电流增益hfe Max为475。
SBC856ALT1G是双极晶体管-BJT SS GP XSTR PNP 65V，包括0.007090 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于SBC856ALT 1G，提供Pd功耗功能，如225 mW，包装设计用于卷筒，以及SOT-23包装箱，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的增益带宽乘积fT为100 MHz，发射极基极电压VEBO为-5 V，直流电流增益hFE最大值为250，连续集电极电流为-100 mA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为-65V，集电极-发射器饱和电压为-0.3V，集极基极电压VCBO为-80 V。
SBC84K7J是RES 4.7K OHM 9W 5%AXIAL，包括线绕组合物，它们设计用于具有防火、安全功能、，高度如数据表注释所示，用于0.354“（9.00mm），提供2个终端的功能，其工作温度范围为-55°C~350°C，以及轴向封装外壳，该设备也可以用作散装封装。此外，功率瓦数为9W，设备提供的电阻为4.7k欧姆，设备具有SBC、CGS系列，尺寸尺寸为0.354“方形x 1.496”L（9.00mm x 38.00mm），供应商设备包为轴向，温度系数为±200ppm/°C，公差为±5%。
