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PHPT610030NPKX，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SOT-1205，8-LFPAK56中使用的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK56D，以及双重配置，该器件还可以用作1.25W功率最大值。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供3A电流收集器Ic Max，该器件具有100V的电压收集器-发射器击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@1A、10V，Vce饱和最大Ib Ic为330mV@300mA，3A/11mV@50mA、500mA，电流收集器截止最大值为100nA，频率转换为140MHz、125MHz，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为100 V-100 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为225 mV-220 mV，集电极基极电压VCBO为100 V-100 V，发射极基极电压VEBO为7 V-7 V，最大直流集电极电流为3 A-3 A，增益带宽乘积fT为140 MHz 125 MHz，连续集电极电流是3 A-3A，直流集电极基基增益hfe Min在3 A-10 V时为10，直流集极基极增益hfe Max在500 mA-10 V下为250，直流电流增益hfe Max在-500 mA-10伏时为200。
PHPT610030PKX，带有用户指南，包括100V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在360mV@200mA、2A Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP（双），提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计用于LFPAK56D，以及1.25W最大功率，该器件也可以用作25W Pd功率耗散。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大直流集电极电流为-3 a-3 a，增益带宽乘积fT为125 MHz 125 MHz，频率转换为125MHz，发射极基极电压VEBO为-8 V-8 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为150@500mA，10V，直流电流最大增益hFE在-500 mA-10 V时为220，直流集电极基极增益hFE最小值在-3 A-10 V时为10，集电极Ic最大值为3A，集电极截止电流最大值为100nA，连续集电极电流为-3A-3A，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为-100V-100V，集电极/发射极饱和电压为-220mV-220mV，集电极基极电压VCBO为-100V-100 V。
PHPT610030NKX是TRANS NPN 100V 30A 8LFPAK，包括100 V 100 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在225 mV 225 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于100 V 100伏，提供了双、连续集电极电流等配置功能，除了100nA集电器截止最大值，该设备还可以用作3A集电器Ic最大值。此外，直流集电器基本增益hfe最小值在3 A 10 V时为10，该设备在500 mA 10 V直流电流增益hfe最大值时为250，该设备具有80@1A、10V直流电流增益h FE最小值Ic Vce，发射极基本电压VEBO为7 V 7 V，频率转换为140MHz，增益带宽产品fT为140 MHz 140 MHz，最大直流集电极电流为3 A 3 A，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装盒为SOT-1205，8-LFPAK56，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为25W，最大功率为1.25W，供应商器件封装为LFPAK56D，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN（双），Vce饱和最大Ib-Ic为330mV@300mA，3A，集电极-发射极击穿最大值为100V。
