9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MCH6536-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCH6536-TL-E参考价格为14.8978美元。onsemi MCH6536-TL-E包装/规格：TRANS NPN/PNP 15V/12V 6MCPH。您可以下载MCH6536-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MCH6534-TL-E是TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH，包括MCH6534系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，安装类型设计用于表面安装，以及6-MCPH供应商设备封装，该器件还可以用作550mW功率最大值。此外，晶体管类型为2 NPN（双），该器件提供700mA集流器Ic最大值，该器件具有15V集流器发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@10mA，2V，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@10mA、200mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为330MHz，Pd功耗为0.5W，集电极-发射极电压VCEO Max为15V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为5V，连续集电极电流为700mA，DC集电极基极增益hfe Min为300。
MCH6448-TL-H是MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.000265盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于MCH6448，以及22 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.5W Pd功率耗散。此外，包装为卷筒式，该器件采用SOT-363-6封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，Id连续漏电流为8A。
MCH6448-TL-W，电路图，包括Si技术。
