特色
- 高压和高电流：VCEO=50 V，IC=200 mA
- 高hFE:hFE=200-400
- 湿度敏感性等级：1
- ESD等级-人体型号：3A-机器型号：C
- 提供无铅包装
- 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
（图片：引出线）
HN1B01FDW1T1G
- 描述:晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-74 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.44181 | 0.44181 |
- 库存: 20
- 单价: ¥0.44182
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.44
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规格参数
- 集电极击穿电压 50V
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN，PNP
- 特征频率 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大集电极电流 (Ic) 200毫安
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 最大功率 380mW
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 最小直流增益 200@2毫安，6V
- 集电极最大截止电流 2.A.
- 供应商设备包装 SC-74
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 10毫安、100毫安、300mV、10毫安和100毫安时为250mV
HN1B01FDW1T1G 产品详情
双NPN PNP双极晶体管专为通用放大器应用而设计。它安装在SC-74封装中，该封装设计用于低功率表面安装应用。
HN1B01FDW1T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HN12-5.1-A+ | 美国盛朗 (SL Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 61W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,073.42675 |
 | HN1102NLT | 普思电子 (Pulse) | IC CHIP | ¥24.8953 |
| HN1710300000G | 安费诺·安泰克 (Amphenol Anytek) | 种类: 插头，母插座 针位数: seventeen 间距: 0.138英寸（3.50毫米） 线规区间 (AWG): 14-26 AWG 连接头表面处理: 锡 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥18.04989 |
 | HN12-5.1-A | 贝尔电力 (Bel Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 61W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~50摄氏度 | ¥917.18291 |
 | HN15-4.5-A+ | 美国盛朗 (SL Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 15伏 功率（瓦特）: 68W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥632.91357 |
| HN122-01020 | 锦梧电子 (KUM) | NMWP01MA-B | ¥0.57291 |
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | 东芝 (Toshiba) | ¥0.41067 | |
| HN1B01FU-GR,LF(B | 东芝 (Toshiba) | ¥0.80903 | |
| HN1C01FU-GR,LF(T | 东芝 (Toshiba) | ¥0.22888 | |
| HN1A01F-GR(TE85L,F | 东芝 (Toshiba) | ¥0.51932 |
HN1B01FDW1T1G所属分类：双极性晶体管阵列，HN1B01FDW1T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HN1B01FDW1T1G价格参考￥0.441817，你可以下载 HN1B01FDW1T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HN1B01FDW1T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
