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BCM56DSF

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双)配对 集电极击穿电压: 80V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 500mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.27427 22.74271
100+ 1.54780 154.78080
500+ 1.16089 580.44600
1000+ 0.87059 870.59700
2000+ 0.79809 1596.19000
5000+ 0.75289 3764.49500
10000+ 0.75289 7528.99000
  • 库存: 19706
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 500mW
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 1A
  • 晶体管类别 2 NPN(双)配对
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 集电极击穿电压 80V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 500mV @ 50毫安, 500毫安
  • 最小直流增益 63 @ 150毫安, 2V
  • 特征频率 155兆赫

BCM56DSF 产品详情

Broadcom的BCM5600B1K1KTB StratSwitch™ 是一个完整的L2和L3芯片上切换解决方案,可轻松快速地开发多层切换应用。它集成了24个10/100 Mbit快速以太网端口和2个千兆以太网端口。千兆端口可以选择配置为StratSwitch™ 堆叠链路可支持多达30个堆叠BCM5600B1K1KTB设备。

BCM5600B1K1KTB通过PCI总线与主机CPU连接,PCI总线运行速度高达66 MHz。支持总线主控,以便在CPU存储器和BCM5600之间高效交换分组数据。

BCM5600B1K1KTB将内部存储器集成到CBP(高速缓存缓冲池)中,用于数据包缓冲缓存。额外的SDRAM可以通过存储器总线以高达125MHz的速度连接到GBP(全局缓冲池)。4、8、16、32或64 MB配置最多支持64 MB的外部SDRAM。BCM5600B1K1KTB包含托管第2层和第3层交换所需的各种表所需的内存。

特色

•24个10/100+2个100/1000 Mbps端口-全速

•第3层IP交换

•2k IP地址缓存

•第2层到第7层过滤和内容感知™ 数据包分类

•集成StratSwitch™ 堆叠链接

•四类服务(CoS)

•线路首端阻塞预防

•自动数据包老化和二级地址学习

•芯片上有8k个L2条目

•端口中继或链路聚合

•端口镜像

•背压处理

•包速率控制(802.3x)

•IEEE 802.1Q支持63个虚拟桥接局域网

•IEEE 802.1p支持流量等级加速和

调节和动态多播过滤

•IEEE 802.1D支持生成树


BCM56DSF所属分类:双极性晶体管阵列,BCM56DSF 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BCM56DSF价格参考¥2.824731,你可以下载 BCM56DSF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BCM56DSF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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