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SBC856ALT1G是双极晶体管-BJT SS GP XSTR PNP 65V，包括SBC856ALT 1G系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-23，以及单配置，该器件还可以用作225 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为-65 V，晶体管极性为PNP，集电极-发射器饱和电压为-0.3 V，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，增益带宽乘积fT为100 MHz，连续集电极电流为-100 mA，直流电流增益hFE Max为250。
SBC84K7J是RES 4.7K OHM 9W 5%AXIAL，包括±5%的公差，它们设计为在±200ppm/°C温度系数下运行。数据表中显示了用于轴向的供应商设备包，其尺寸尺寸特性如0.354“方形x 1.496”L（9.00mm x 38.00mm），系列设计用于SBC、CGS以及4.7K电阻欧姆，该设备也可以用作9W功率瓦。此外，包装为散装，设备采用轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C~350°C，终端数量为2个，高度为0.354“（9.00mm），具有防火、安全和绕线的特点。
SBC848BLT1G是双极晶体管-BJT SS GP XSTR SPCL TR，包括30 V集电极-基极电压VCBO，它们设计为在30 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供直流集电极基极增益hfe Min功能，例如在2 mA和5 V时为200，发射极基极电压VEBO设计为在5 V下工作，以及0.1 A的最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该设备采用卷筒包装，该设备具有300 mW的Pd功耗，系列为BC848BL，晶体管极性为NPN。
