9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBC857CDW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBC857CDW1T1G参考价格为0.48000美元。onsemi SBC857CDW1T1G包装/规格：TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363。您可以下载SBC857CDW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBC857BDW1T1G是TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363，包括BC857BDW1系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-70-3（SOT323）供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供380mW最大功率，该设备具有晶体管型2 PNP（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为380 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-100 mA，增益带宽乘积fT为100 MHz，直流集电极基极增益hfe Min在-2 mA时为220，在-5 V时为220；直流电流增益hfe Max在-2 mA下为475。
SBC857BLT1G是TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23，包括45V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于PNP，提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计为在SOT-23-3（to-236）以及BC857BL系列中工作，该器件也可以用作300mW最大功率。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件提供TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件具有安装型表面安装，频率转换为100MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，集流器Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为15nA（ICBO）。
SBC857BWT1G是双极晶体管-BJT SS GP XSTR PNP 45V，包括卷筒包装，它们设计用于BC857BW系列，晶体管极性显示在PNP中使用的数据表注释中。
