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BC 847C E6433是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括BC 847E系列，它们设计为使用卷轴包装，零件别名如数据表注释所示，用于BC847CE6433HTMA1 BC847E6433XT SP000010590，提供单位重量功能，如0.007090盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为6 V，并且最大DC集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为250MHz，并且连续集电极电流是100mA，并且DC集电极基本增益hfe Min在5V时为110mA，并且DC电流增益hfe Max在5V时2mA时为800mA。
BC 847BW H6433是双极晶体管-BJT AF晶体管，包括0.004395盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了BC 847B W等系列功能，Pd功耗设计为在330 mW下工作，以及BC847BWH6433XT BC847BWH 6433XTMA1 SP000746932零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-323-3，该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为200 mA，增益带宽积fT为250 MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Max为800（2 mA，5 V），并且DC集电极基极增益hfe Min在5mA时为420，并且配置为单，集电极发射极电压VCEO Max为45V，集电极-发射极饱和电压为200mV，集极基极电压VCBO为50V。
BC 847BW H6327是双极晶体管-BJT AF晶体管，包括50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在250 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于45 V，提供100 mA、，直流集电极基极增益hfe Min设计为在5V时在10 uA时工作110，以及在5V直流电流增益hfe Max时在2 mA时工作800，该器件也可以用作6V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为250 MHz，该器件的最大直流集电极电流为100 mA，该器件具有安装型SMD/SMT，封装外壳为SOT-323，封装为卷筒，零件别名为BC847BWH6327XT BC847BWH 6327XTSA1 SP000746930，Pd功耗为250 mW，系列为BC 847BW，晶体管极性为NPN，单位重量为0.002116盎司。
BC 847C E6327是双极晶体管-BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A，包括SOT-23封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供封装功能，如卷轴，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及BC847CE6327HTSA1 BC847E6327XT SP000010565零件别名，该装置也可以用作BC 847C系列。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该器件提供50 V集电极基极电压VCBO，该器件具有480 DC集电极基基增益hfe Min，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，Pd功耗为330 mW，增益带宽积fT为250 MHz，最大DC集电极电流为0.1 a，单位重量为0.007090 oz，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃。
