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BC 847C E6433是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括BC 847E系列，它们设计为使用卷轴包装，零件别名如数据表注释所示，用于BC847CE6433HTMA1 BC847E6433XT SP000010590，提供单位重量功能，如0.007090盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为6 V，并且最大DC集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为250MHz，并且连续集电极电流是100mA，并且DC集电极基本增益hfe Min在5V时为110mA，并且DC电流增益hfe Max在5V时2mA时为800mA。
BC 847CW H6327是双极晶体管-BJT AF晶体管，包括0.002116盎司的单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BC 847SW，提供Pd功率耗散功能，如330 mW，零件别名设计用于BC847WH6327XT BC847CW6327XTSA1 SP000746934，以及卷筒包装，该装置也可以用作SOT-323封装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件的最大直流集电极电流为100 mA，该器件具有250 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Max在2 mA时为800，在5 V时为800；直流集电极基极增益hFE Min在2 mA下为110，连续集电极电流是100 mA，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，集电极-发射器饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为50 V。
BC 847C E6327是双极晶体管-BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A，包括50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在45 V集电极-发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供DC集电极基基增益hfe最小值功能，如480，发射极基极电压VEBO设计为在6 V下工作，除了250 MHz增益带宽产品fT之外，该器件还可以用作0.1 A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装型SMD/SMT，封装外壳为SOT-23，封装为卷筒，零件别名为BC847CE6327HTSA1 BC847SE6327XT SP000010565，Pd功耗为330 mW，系列为BC 847C，晶体管极性为NPN，单位重量为0.007090盎司。
BC 847PN E6327是双极晶体管-BJT NPN/PNP 45 V 100 mA，包括SOT-363封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供晶体管极性功能，如NPN PNP，配置设计为双路工作，以及BC847PNE6327XT零件别名，该器件也可以用作6V发射极基极电压VEBO。此外，集电极基极电压VCBO为50 V，该器件提供45 V集电极-发射极电压VCEO Max，该器件具有250 mW的Pd功耗，增益带宽乘积fT为250 MHz，DC集电极基基增益hfe Min为250，最大DC集电极电流为0.1 a，单位重量为0.000212盎司，其最大工作温度范围为+150℃，其最低工作温度范围为-65℃。
