9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的MMDT4401Q-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMDT4401Q-7-F参考价格0.06530美元。Diodes Incorporated MMDT4401Q-7-F封装/规格：通用晶体管SOT36。您可以下载MMDT4401Q-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMDT4126-7-F是TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363，包括MMDT41系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型2 PNP（双重），集电极Ic最大值为200mA，集电极-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@2mA，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@5mA，50mA，集流器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为250MHz，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-25 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.4 V，集电极基极电压VCBO为-25 V，发射极基极电压VEBO为-4V，最大直流集电极电流为0.2A，增益带宽乘积fT为250MHz，连续集电极电流是-0.2A，直流集电极基极增益hfe Min为100，直流电流增益hfe Max为300。
MMDT4146-7-F是TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363，包括25V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@5mA、50mA/400mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供晶体管类型功能，如NPN、PNP，晶体管极性设计为在NPN PNP中工作，以及SOT-363供应商设备包，该设备也可以用作MMDT41系列。此外，最大功率为200mW，该器件提供200mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大直流集电极电流为0.2A，增益带宽积fT为300MHz，频率转换为300MHz，250MHz，发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为120@2mA，1V，直流集电极基极增益hFE Min为120，集电极Ic Max为200mA，集电极截止最大值为50nA（ICBO），配置为双重，集电极-发射极电压VCEO Max为25V，集电极基电压VCBO为30V。
MMDT4146-7是TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363，包括50nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于200mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于120@2mA，1V，提供300MHz，250MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP，SC-88、SOT-363包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为200mW，该器件在SOT-363供应商器件包中提供，该器件具有晶体管型NPN、PNP，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@5mA、50mA/400mV@5mA、50mA，集电极-发射极击穿最大值为25V。
