9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BC857BV-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BC857BV-7参考价格为0.48000美元。Diodes Incorporated BC857BV-7包装/规格:TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563。您可以下载BC857BV-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC857BTT1G是TRANS PNP 45V 0.1A SC-75-3,包括BC857BT系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SC-75、SOT-416等封装盒功能,安装类型设计为在表面安装中工作,该设备也可以用作单一配置。此外,功率最大值为200mW,该器件为PNP晶体管型,该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值,电压收集器发射极击穿最大值为45V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA,100mA,电流收集器截止最大值为15nA(ICBO),频率转换为100MHz,Pd功耗为0.2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-0.65 V,集电极基极电压VCBO为-50 V,发射极基极电压VEBO为5 V,最大DC集电极电流为0.1A,增益带宽乘积fT为100MHz,连续集电极电流是-0.1A,DC集电极基本增益hfe Min为150。
BC857BV,115是TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666,包括45V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在400mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于2 PNP(双),提供供应商设备包功能,如SOT-666,系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了200mW最大功率外,该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,封装外壳为SOT-563、SOT-666,该器件为表面安装安装型,该器件具有100MHz的频率转换,直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA,5V,集电器Ic最大值为100mA,集电器截止最大值为15nA(ICBO)。
BC857BV,电路图由CJ制造。BC857BV采用SOT-563封装,是IC芯片的一部分。