9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBC847BPDW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBC847BPDW1G参考价格为0.48000美元。onsemi SBC847BPDW1T1G包装/规格：TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363。您可以下载SBC847BPDW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBC847BDW1T1G是TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363，包括BC847BDW1系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供380mW最大功率，该设备具有2个晶体管型NPN（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为380 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.6 V，集电极基极电压VCBO为50 V，且发射极基极电压VEBO为6V，且最大DC集电极电流为100mA，且增益带宽乘积fT为100MHz，且DC集电极基极增益hfe Min在5V时为200mA时为200，且DC电流增益hfe Max在5V时2mA时为450。
SBC847BLT1G是TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23，包括45V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在600mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717 oz，提供晶体管类型的功能，如NPN，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备也可以用作BC847BL系列。此外，最大功率为300mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，频率转换为100MHz，DC电流增益hFE Min Ic Vce为200@2mA，5V，DC集电极基极增益hFE Min为200，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为15nA（ICBO），连续集电极电流为0.1A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为45V，集电极基极电压VCBO为50V。
SBC847BDW1T3G带有电路图，包括15nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于100mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于200@2mA，5V，提供100MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，功率最大值为380mW，该设备采用BC847BDW1系列，该设备具有供应商设备包的SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN（双），Vce饱和最大值Ib-Ic为600mV@5mA，100mA，电压集电极-发射极击穿最大值为45V。
