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BC858C-7-F是TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3,包括BC858系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于SOT-23,以及单一配置,该设备也可用作300 mW Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-65 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为30 V,晶体管极性为PNP,集电极基极电压VCBO为30 V、发射极基极电压VEBO为5 V,最大直流集电极电流为0.1 a,增益带宽乘积fT为200 MHz,并且DC集电极基极增益hfe Min为420。
BC858CDW1T1是TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363,包括30V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,数据表说明中显示了用于2 PNP(双)的晶体管类型,提供供应商设备包功能,如SC-88/SC70-6/SOT-363,功率最大值设计为380mW,除了磁带和卷轴(TR)包装外,该设备还可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱。此外,安装类型为表面安装,该设备提供100MHz的频率转换,该设备具有420@2mA、5V的直流电流增益hFE最小Ic-Vce,集电器最大Ic为100mA,集电器截止电流最大值为15nA(ICBO)。
BC858C-7是由DIO制造的TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3。BC858C-7采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装,是晶体管(BJT)-单体的一部分,支持TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3。