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NSS40300DDR2G

  • 描述:晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 653mW 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.37375 6.37375
10+ 5.68567 56.85677
100+ 4.43193 443.19310
500+ 3.66143 1830.71550
1000+ 3.18144 3181.44400
2500+ 3.18144 7953.61000
  • 库存: 7602
  • 单价: ¥6.88076
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.37
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规格参数

  • 晶体管类别 2 PNP(双)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 100MHz
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 集电极击穿电压 40伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 3A
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最小直流增益 180@1A,2V
  • 最大功率 653mW
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 200毫安时为170mV,2A

NSS40300DDR2G 产品详情

低饱和电压和高增益的组合使该双极功率晶体管成为高速开关应用的理想器件,在高速开关应用中,节能是一个值得关注的问题。

特色

  • 低集电极-发射极饱和电压
  • 最小化功率损耗
  • 高直流电流增益
  • 电流要求非常低
  • 高电流增益带宽产品
  • 非常适合高频设计
  • 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AECQ101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准

应用

  • 电压调节
  • 便携式设备的电源管理
  • 开关调节器
  • 感应负载驱动器
  • 蓄电池充电器
  • 便携式设备
  • 计算产品
NSS40300DDR2G所属分类:双极性晶体管阵列,NSS40300DDR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSS40300DDR2G价格参考¥6.880755,你可以下载 NSS40300DDR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSS40300DDR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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