9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N2920U/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N2920U/TR参考价格为51.07500美元。Microchip Technology 2N2920U/TR封装/规格：晶体管双小信号BJT。您可以下载2N2920U/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N2920是TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78，包括2N2920系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于TO-78-6金属罐，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-78-6供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为350mW，该设备具有2个晶体管型NPN（双重），集电器Ic最大值为30mA，集电器-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@1mA，5V，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@100μa，1mA，集电器截止最大值为10μa（ICBO），Pd功耗为1500 mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为350 mV，集电极基极电压VCBO为60 V、发射极基极电压VEBO为6 V，最大DC集电极电流为30mA，增益带宽乘积fT为60MHz，在10uA 5V时DC集电极基本增益hfe Min为40，DC电流增益hfe Max为35。
2N2920L是TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78，包括60V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@100μa、1mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供供应商设备包功能，如to-78-6，功率最大值设计为350mW，以及散装封装，该装置也可用作TO-78-6金属罐包装盒。此外，安装类型为通孔，该设备为通孔安装类型，该设备具有300@1mA、5V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为30mA，集电器截止值最大值为10μa（ICBO）。
2N2919U是TRANS 2NPN 60V 0.03A，包括10μA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于30mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于150@1mA，5V，提供表面安装等安装类型功能，封装外壳设计用于3-SMD，无引线，以及散装封装，该器件也可作为最大功率350mW使用。此外，供应商器件封装为3-SMD，该器件提供2 NPN（双）晶体管类型，该器件具有300mV@100μa，1mA Vce饱和最大Ib-Ic，集电极-发射极击穿最大值为60V。
