MAT03EHZ双单片PNP晶体管提供了优异的参数匹配和高频性能。低噪声特性(1nV/√Hz max@1 kHz)、高带宽(190 MHz典型值)和低偏置电压(100µV max)使MAT03EHZ成为高要求前置放大器应用的最佳选择。在广泛的集电极电流范围内,紧密的电流增益匹配(最大失配3%)和高电流增益(100分钟)使MAT03EHZ成为电流镜的最佳选择。低体积电阻值(通常为0.3欧姆)也使MAT03EHZ成为需要精确对数一致性的应用的理想组件。
每个晶体管都按照数据表规格进行单独测试。在25°C和扩展的工业和军事温度范围内,设备性能得到保证。为了确保匹配参数的长期稳定性,基极-发射极结两端的内部保护二极管箝位任何反向基极-射极结电势。这防止了基极-发射极击穿条件,该条件可能由于过大的击穿电流而导致增益和匹配性能的降低。
特色
- 双匹配PNP晶体管
- 低偏置电压:最大100µV
- 低噪声:1 nV/√Hz@最大1 kHz
- 高增益:100分钟
- 高增益带宽:典型190 MHz
- 紧密增益匹配:最大3%
(图片:引出线)