特色
- 超小型复合数字晶体管
- 内置偏置电阻器
- 分压器类型
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
EMG1T2R
- 描述:晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.52777 | 25.27772 |
| 100+ | 1.57533 | 157.53310 |
| 500+ | 1.07788 | 538.94400 |
| 1000+ | 0.82916 | 829.16700 |
| 2000+ | 0.74623 | 1492.47200 |
| 8000+ | 0.70480 | 5638.45600 |
| 16000+ | 0.64259 | 10281.44000 |
| 24000+ | 0.60116 | 14427.86400 |
| 56000+ | 0.58667 | 32853.80000 |
- 库存: 7960
- 单价: ¥3.33173
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
- 特征频率 250MHz
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 晶体管类别 2 NPN-预偏置（双）
- 基极电阻 (R1) 22k欧姆
- 发射极电阻 (R2) 22k欧姆
- 最小直流增益 56 @ 5毫安, 5V
- 最大功率 150mW
- 包装/外壳 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
- 供应商设备包装 EMT5
EMG1T2R 产品详情
集成两个晶体管的器件以超紧凑封装形式提供，适用于各种应用，如前置放大器差分放大电路、高频振荡器、驱动器IC等。
EMG1T2R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | EMG5DXV5T1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS DUAL BIAS NPN 50V SOT-563 | ¥0.28972 |
| EMG-85SURM-KIT | EMG8500 SINGLE UNIT RACK MOUNT | ¥0.00 | |
| EMG851100S | EMG8500 EDGE MANAGEMENT GATEWAY | ¥0.00 | |
| EMGFR03 | GATEWAYS SERIAL PORT | ¥0.00 | |
| EMGFR02 | GATEWAYS SERIAL PORT | ¥0.00 | |
| EMGFR01 | GATEWAYS SERIAL PORT | ¥0.00 | |
| EMG751001S | EMG7500 EDGE MANAGEMENT GATEWAY, | ¥0.00 | |
| EMGFR04 | GATEWAYS SERIAL PORT | ¥0.00 | |
| EMGFF01 | GATEWAYS SERIAL PORT | ¥0.00 | |
| EMG851210S | EMG8500 EDGE MANAGEMENT GATEWAY, | ¥0.00 |
EMG1T2R所属分类：预偏置双极晶体管阵列，EMG1T2R 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EMG1T2R价格参考￥3.331734，你可以下载 EMG1T2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EMG1T2R规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
