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PHPT610030NPKX，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SOT-1205，8-LFPAK56中使用的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK56D，以及双重配置，该器件还可以用作1.25W功率最大值。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供3A电流收集器Ic Max，该器件具有100V的电压收集器-发射器击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@1A、10V，Vce饱和最大Ib Ic为330mV@300mA，3A/11mV@50mA、500mA，电流收集器截止最大值为100nA，频率转换为140MHz、125MHz，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为100 V-100 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为225 mV-220 mV，集电极基极电压VCBO为100 V-100 V，发射极基极电压VEBO为7 V-7 V，最大直流集电极电流为3 A-3 A，增益带宽乘积fT为140 MHz 125 MHz，连续集电极电流是3 A-3A，直流集电极基基增益hfe Min在3 A-10 V时为10，直流集极基极增益hfe Max在500 mA-10 V下为250，直流电流增益hfe Max在-500 mA-10伏时为200。
PHPT610030NKX是TRANS NPN 100V 30A 8LFPAK，包括100V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在330mV@300mA、3A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在LFPAK56D中工作，以及1.25W最大功率，该器件也可以用作25W Pd功率耗散。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大直流集电极电流为3 a 3 a，增益带宽乘积fT为140 MHz 140 MHz，频率转换为140 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V 7 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为80@1A，10V，直流电流最大增益hFE Max为250@500 mA 10 V，直流集电极基极增益hFE Min为10@3 A 10 V，集电极Ic Max为3A，集电极截止电流最大值为100nA，且连续集电极电流为3 A 3 A，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为100 V 100 V，集电极/发射极饱和电压为225 mV 225 mV，集电极基极电压VCBO为100 V 100V。
PHPT61002PYCX，带有电路图，包括-100 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-110 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO最大值如数据表注释所示，用于-100 V，提供连续集电极电流功能，如-2A，集电极截止最大值设计为在100nA（ICBO）下工作，除了2A电流收集器Ic Max，该设备还可以用作100@500mA、1.5V DC电流增益hFE Min Ic Vce。此外，发射极基极电压VEBO为-8 V，该器件提供125MHz频率转换，该器件的最大直流集电极电流为-2A，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，封装盒为SC-100、SOT-669、4-LFPAK，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为25W，最大功率为1.25W，供应商器件封装为LFPAK、Power-SO8，晶体管极性为PNP，晶体管类型为PNP；Vce饱和最大Ib-Ic为110mV@50mA、500mA，电压集电极-发射极击穿最大值为100V。
