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RN1711JE(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4000

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 集电极击穿电压 50V
  • 基极电阻 (R1) 10欧姆
  • 特征频率 250MHz
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 250A, 5毫安
  • 晶体管类别 2 NPN-预偏置(双)
  • 发射极电阻 (R2) -
  • 最小直流增益 120@1毫安,5V
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大功率 100mW
  • 包装/外壳 SOT-553
  • 供应商设备包装 ESV

RN1711JE(TE85L,F) 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:NPN×2
  • 内部连接:2-in-1(公共发射器)
  • 补充产品:RN2711JE
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:无限kΩ
  • 装配底座:无限kΩ

应用

多用途的
RN1711JE(TE85L,F)所属分类:预偏置双极晶体管阵列,RN1711JE(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RN1711JE(TE85L,F)价格参考¥1.398604,你可以下载 RN1711JE(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RN1711JE(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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