9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZDT751TA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZDT751TA价格参考1.20000美元。Diodes Incorporated ZDT751TA包装/规格:TRANS 2PNP 60V 2A SM8。您可以下载ZDT751TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZDT749TA是TRANS 2PNP 25V 2A SM8,包括ZDT749系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SOT-223-8等封装盒功能,安装类型设计为在表面安装中工作,以及SM8供应商设备封装,该设备也可以用作双配置。此外,功率最大值为2.75W,该器件采用2 PNP(双)晶体管类型,该器件具有2A的电流收集器Ic最大值,电压收集器发射极击穿最大值为25V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1A、2V,Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@200mA、2A,电流收集器截止最大值为100nA(ICBO),频率转换为160MHz,Pd功耗为2.75W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-25 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-0.23 V,集电极基极电压VCBO为-35 V,发射极基极电压VEBO为-5 V,最大DC集电极电流为2A,增益带宽积fT为160MHz,连续集电极电流是-2A,DC集电极基本增益hfe Min在50mA时为70,在2V时为100,在1A时为75,在2A时为75。
ZDT749TC是TRANS 2PNP 25V 2A SM8,包括25V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在500mV@200mA、2A Vce饱和最大值Ib Ic下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于2 PNP(双),提供供应商设备包功能,如SM8,功率最大值设计为2.75W,该设备还可以用作SOT-223-8包装箱。此外,安装类型为表面安装,该设备提供160MHz频率转换,该设备具有100@1A、2V的直流电流增益hFE最小Ic Vce,集电器Ic最大值为2A,集电器截止值最大值为100nA(ICBO)。
ZDT717TC是TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8,包括100nA集电器最大截止电流,它们设计用于2.5A集电器Ic Max,DC电流增益hFE Min Ic Vce,如数据表注释所示,用于300@100mA,2V,具有110MHz等频率转换特性,安装类型设计用于表面安装,以及SOT-223-8封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,功率最大值为2.5W,该设备采用SM8供应商设备包,该设备具有2 PNP(双)晶体管型,Vce饱和最大值Ib-Ic为220mV@50mA,2.5A,集电极-发射极击穿最大值为12V。