EMD3FHAT2R
- 描述:晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.52777 | 25.27772 |
| 100+ | 1.57460 | 157.46060 |
| 500+ | 1.07716 | 538.58200 |
| 1000+ | 0.82858 | 828.58800 |
| 2000+ | 0.74572 | 1491.45800 |
- 库存: 4580
- 单价: ¥3.33173
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 集电极击穿电压 50V
- 基极电阻 (R1) 10欧姆
- 发射极电阻 (R2) 10欧姆
- 最小直流增益 30 @ 5毫安, 5V
- 集电极最大截止电流 500nA
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 500A, 10毫安
- 特征频率 250MHz
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大功率 150mW
- 供应商设备包装 EMT6
EMD3FHAT2R 产品详情
Everspin Technologies EMD3D256M08/16B DRAM是非易失性256Mb DDR3自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（MRAM），最大时钟频率为667MHz。这些DRAM在DDR3速度下提供非易失性和高耐久性。DDR3 STT-MRAM是一种高速MRAM，内部配置为八组RAM。这些DRAM能够以高达1333MT/sec/pin的速率进行DDR3操作。EMD3D256M08/16B DRAM的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准。不需要自旋力矩MRAM技术单元刷新，这简化了系统设计并减少了开销。
EMD3FHAT2R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | EMD2043A25 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | SENSOR AERO SPEED | ¥2,015.84896 |
| EMDC0000 | 红狮 (Red Lion) | 传感方式: 透射型 光源: 红外线的 输出配置: NPN/PNP 传感距离: 12英寸（304.8毫米） 电源电压: 10伏~30伏 响应时长: 1ms | ¥708.21076 |
| EMDC36182S15B95 | CLEAR-VIEW CABINETS W/PUNCHED ME | ¥0.00 | |
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD3D256M16G2-150CBS1 | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMD4E001G16G2-150CAS2R | LINEAR IC'S | ¥0.00 | |
| EMDC-10-1TR | COUPLER, 5-1000MHZ | ¥0.00 | |
| EMDL700 | ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/ | ¥0.00 |
EMD3FHAT2R所属分类：预偏置双极晶体管阵列，EMD3FHAT2R 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EMD3FHAT2R价格参考￥3.331734，你可以下载 EMD3FHAT2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EMD3FHAT2R规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
