9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5315DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5315DW1T1G参考价格为0.41000美元。onsemi SMUN5315DW1T1G包装/规格：TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88。您可以下载SMUN5315DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5313DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括MUN5313DW1系列，设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备以187mW功率最大值提供，该设备具有1 NPN、1 PNP-晶体管型预偏置（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为47k，电阻器基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@300μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为187 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN PNP，连续集电极电流为0.1 A，DC集电极基极增益hfe Min为80，典型输入电阻为47k欧姆，典型电阻比为1。
SMUN5314DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250 V@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，电阻发射极基极R2欧姆设计为在47k以及10k电阻基极R1欧姆下工作，该器件也可以用作187mW最大功率。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集流器Ic Max为100mA，集流器截止电流Max为500nA。
带有电路图的SMUN5313DW1T3G，包括500nA集电器最大截止电流，其设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA，10V，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP，SC-88，SOT-363，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作187mW的最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为47k，该器件提供47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有MUN5313DW1系列，供应商器件封装为SOT-363，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，并且电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
