9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5232DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5232DW1T1G参考价格为0.11777美元。onsemi SMUN5232DW1T1G包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363。您可以下载SMUN5232DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5231DW1T1G，带引脚细节，包括MUN5231DW1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363，以及250mW最大功率，该器件也可以用作2 NPN-预偏置（双）晶体管类型。此外，集流器Ic最大值为100mA，该设备提供50V集流器-发射极击穿最大值，该设备具有2.2k的电阻器基极R1欧姆，电阻器-发射极基极R2欧姆为2.2k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为8@5mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@5mA、10mA，且集流器截止最大值为500nA。
SMUN5216DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于2 NPN-预偏置（双）的晶体管类型，提供了供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，该系列设计用于MUN5216DW1，除了4.7k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作187mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
SMUN5230DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括500nA集电器最大截止电流，设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于3@5mA，10V，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP，SC-88，SOT-363，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作187mW的最大功率。此外，电阻器基极R1欧姆为1k，该器件以1k电阻器发射极基极R2欧姆提供，该器件具有MUN5230DW1系列，供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA、10mA，并且电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
