9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5131DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5131DW1T1G参考价格为0.11777美元。onsemi SMUN5131DW1T1G包装/规格：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88。您可以下载SMUN5131DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5115DW1T1G是TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363，包括MUN5115DW1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363以及187mW最大功率，该器件也可以用作2 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集流器Ic最大值为100mA，该器件提供50V集流器发射极击穿最大值，该器件具有10k电阻基极R1欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集流管截止最大值为500nA。
SMUN5116DW1T1G是TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计用于MUN5116DW1，除了4.7k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作187mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
SMUN5115T1G带电路图，包括卷筒包装，设计用于SMUN5110T1G系列。
