9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5231DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5231DW1T1G参考价格为0.11777美元。onsemi SMUN5231DW1T1G包装/规格：TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88。您可以下载SMUN5231DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5216DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括MUN5216DW1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363以及187mW最大功率，该器件也可以用作2 NPN-预偏置（双）晶体管类型。此外，集流器Ic最大值为100mA，该设备提供50V集流器发射极击穿最大值，该设备具有4.7k电阻基极R1欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@1mA、10mA，集流管截止最大值为500nA。
SMUN5230DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@5mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计用于MUN5230DW1，以及1k电阻器发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作1k电阻器基极R1欧姆。此外，最大功率为187mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为3@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止电流最大值为500nA。
SMUN5215T1G带电路图，包括卷筒包装，设计用于MUN5215系列。
