9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDC114EU-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DDC114EU-7-F价格参考0.06656美元。Diodes Incorporated DDC114EU-7-F封装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363。您可以下载DDC114EU-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DDC113TU-7-F是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363，包括DDC113系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有2 NPN-预偏置（双重）晶体管型，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆为1k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1mA，5V，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@1mA，10mA，频率转换为250MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为5 V，典型输入电阻为1千欧，峰值DC集电极电流为100mA。
DDC114EH-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106盎司，具有典型电阻比特性，如1，典型输入电阻设计为工作在10千欧姆，以及2 NPN预偏置（双）晶体管类型，该器件也可以用作NPN晶体管极性。此外，供应商设备包为SOT-563，该设备为DDC114系列，该设备具有10k电阻发射极基极R2欧姆，电阻基极R1欧姆为10k，最大功率为150mW，峰值直流集电极电流为100mA，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为SOT-562、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，频率转换为250MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA，5V，直流集电极基本增益hFE最小为30，集电极Ic最大为100mA，集电极截止最大为500nA，配置为双重。
DDC114EU-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363，包括500nA集电器最大截止电流，设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于30@5mA，5V，提供250MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装盒，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，功率最大值为200mW，器件提供10k电阻基极R1欧姆，器件具有10k电阻发射极基极R2欧姆，供应商器件封装为SOT-363，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@500μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
