9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5235DW1T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5235DW1T3G参考价格为0.11778美元。onsemi SMUN5235DW1T3G包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363。您可以下载SMUN5235DW1T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5235DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括MUN5235DW1系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备以187mW功率最大值提供，该设备具有2 NPN-预偏置（双重）晶体管型，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆值为2.2k，电阻器基极R2欧姆值为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce值为80@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@1mA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为187 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.1 A，DC集电极基极增益hfe Min为80，典型输入电阻为2.2k欧姆，典型电阻比为0.047。
SMUN5233DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265盎司，具有典型电阻比特性，如0.1。典型输入电阻设计为在4.7千欧姆下工作，以及2 NPN预偏置（双）晶体管类型，该器件也可以用作NPN晶体管极性。此外，供应商设备包装为SC-88/SC70-6/SOT-363，该设备为MUN5233DW1系列，该设备具有47k电阻发射极基极R2欧姆，电阻基极R1欧姆为4.7k，最大功率为187mW，Pd功耗为250mW，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，直流集电极基本增益hFE最小为80，集电极Ic最大为100mA，集电极截止最大为500nA，连续集电极电流为0.1A，并且配置是双重的，并且集电极-发射极电压VCEO Max是50V。
SMUN5233T1G是双极晶体管-预偏置SS BRT NPN 50V PB FR，包括卷筒包装，设计用于MUN5233系列。
