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SMUN5335DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括MUN5335DW1系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在SC-88/SC70-6/SOT-363中工作，除了187mW最大功率外，该器件还可以用作1 NPN、1 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射极击穿最大值，该设备具有2.2k电阻基极R1欧姆，电阻发射极基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电器截止最大值为500nA。
SMUN5315DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计用于MUN5315DW1，以及47k电阻发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作10k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为187mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止电流最大值为500nA。
SMUN5330DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括500nA集电器截止最大值，它们设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce，如数据表注释所示，用于3@5mA、10V的环境，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作187mW的最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为1k，该器件提供1k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有MUN5330DW1系列，供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA，10mA，并且电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
