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SMUN5335DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363,包括MUN5335DW1系列,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装一起使用,包装箱如数据表注释所示,用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包装设计为在SC-88/SC70-6/SOT-363中工作,除了187mW最大功率外,该器件还可以用作1 NPN、1 PNP-预偏置(双)晶体管类型。此外,集电器Ic最大值为100mA,该设备提供50V电压集电器-发射极击穿最大值,该设备具有2.2k电阻基极R1欧姆,电阻发射极基极R2欧姆为47k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V,Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa,10mA,集电器截止最大值为500nA。
SMUN5315DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 NPN、1 PNP-预偏置(双),提供供应商设备包功能,如SC-88/SC70-6/SOT-363,系列设计用于MUN5315DW1,以及47k电阻发射极基极R2欧姆,该器件也可以用作10k电阻基极R1欧姆。此外,最大功率为187mW,该设备采用磁带和卷轴(TR)封装,该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒,安装类型为表面安装,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V,集电器Ic最大值为100mA,集电器截止电流最大值为500nA。
SMUN5330DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363,包括500nA集电器截止最大值,它们设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce,如数据表注释所示,用于3@5mA、10V的环境,提供表面安装等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363、,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作187mW的最大功率。此外,电阻基极R1欧姆为1k,该器件提供1k电阻发射极基极R2欧姆,该器件具有MUN5330DW1系列,供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363,晶体管类型为1 NPN,1 PNP-预偏置(双),Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA,10mA,并且电压集电极-发射极击穿最大值为50V。