9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DDC122TU-7-F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DDC122TU-7-F参考价格为0.261208美元。Diodes Incorporated DDC122TU-7-F封装/规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363。您可以下载DDC122TU-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DDC122LU-7-F是TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363,包括DDC122系列,它们设计用于胶带和卷轴(TR)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.000212盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外,该配置为双重配置,该设备的最大功率为200mW,该设备具有2 NPN-预偏置(双重)晶体管型,集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为50V,电阻器基极R1欧姆为220,电阻器基极R2欧姆为10k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为56@10mA,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@250μA,5mA,集电极截止最大值为500nA,频率转换为200MHz,集电极-发射极电压VCEO最大值为40V,晶体管极性为NPN,直流集电极基极增益hfe最小值为56,典型输入电阻为220欧姆,典型电阻比为0.022,峰值直流集电极电流为100mA。
DDC122LH-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在300mV@250μa,5mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.000106盎司,具有典型电阻比特性,如0.022,典型输入电阻设计为220欧姆,以及2 NPN预偏置(双)晶体管类型,该器件也可以用作NPN晶体管极性。此外,供应商设备包为SOT-563,该设备为DDC122系列,该设备具有10k电阻发射极基极R2欧姆,电阻基极R1欧姆为220,最大功率为150mW,峰值直流集电极电流为100mA,包装为磁带和卷轴(TR),包装箱为SOT-562、SOT-666,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,频率转换为200MHz,直流电流增益hFE Min Ic Vce为56@10mA,5V,直流集电极基极增益hFE Min为56,集电极Ic Max为100mA,集电极截止最大值为500nA,配置为双重,集电极-发射极电压VCEO Max为40V。
DDC122TH-7是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563,包括40 V集电极-发射极电压VCEO Max,它们设计用于双配置,数据表中显示了用于100mA的集电极Ic Max,其提供了直流集电极基本增益hfe Min功能,例如100,直流电流增益hfe Min Ic Vce设计用于100@1mA,5V,以及200MHz的频率转换,该设备也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒,该器件具有封装带和卷轴(TR),峰值直流集电极电流为100mA,最大功率为150mW,电阻器基极R1欧姆为220,系列为DDC122,供应商器件封装为SOT-563,晶体管极性为NPN,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双),典型输入电阻为220欧姆,单位重量为0.000106盎司,Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@250μA,5mA,集电极-发射极击穿最大值为50V。