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UMC3NT1G

  • 描述:晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.67987 2.67987
10+ 2.20908 22.09085
100+ 1.17262 117.26260
500+ 0.77151 385.75700
1000+ 0.52467 524.67600
3000+ 0.47325 1419.75300
6000+ 0.41154 2469.25200
15000+ 0.34976 5246.40000
30000+ 0.33969 10190.76000
  • 库存: 12770
  • 单价: ¥2.67987
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.68
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 集电极击穿电压 50V
  • 基极电阻 (R1) 10欧姆
  • 发射极电阻 (R2) 10欧姆
  • 最小直流增益 35 @ 5毫安, 10V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 特征频率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 最大功率 150mW
  • 包装/外壳 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供应商设备包装 SC-88A(SC-70-5/SOT-353)

UMC3NT1G 产品详情

双PNP双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的单个晶体管,该网络由两个电阻器组成:一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器。这些数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双PNP双极数字晶体管通过将这些单独的组件集成到单个设备中而消除了这些组件。在UMC2NT1系列中,SOT-353封装中包含两个设备,这是低功耗表面安装应用的理想选择,因为电路板空间非常大。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 减少组件数量
  • 提供8 mm、7英寸/3000单位胶带和卷筒。
  • 提供无铅包装
  • 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和PPAP能力
UMC3NT1G所属分类:预偏置双极晶体管阵列,UMC3NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UMC3NT1G价格参考¥2.679873,你可以下载 UMC3NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UMC3NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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