9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MCH6542-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCH6542-TL-E参考价格为0.24000美元。onsemi MCH6542-TL-E包装/规格：TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH。您可以下载MCH6542-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如MCH6542-TL-E价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MCH6541-TL-E是TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH，包括MCH6541系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如6-SMD、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及6-MCPH供应商设备封装，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为550mW，该器件采用NPN、PNP晶体管类型，该器件具有700mA的集流器Ic最大值，集流器-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@50mA，2V/200@10mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为190mV@10mA，200mA/220mV@110mA，200mA，且集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为540MHZ，520MHz，Pd功耗为0.55W，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V-30 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为85 mV-110 mV，集电极基极电压VCBO为40 V-30 V，发射极基极电压VEBO为5 V-5 V，最大直流集电极电流为3A-3A，增益带宽积fT为540 MHz 520 MHz，连续集电极电流700 mA-700 mA，直流集电极基本增益hfe Min为300 200，直流电流增益hfe Max为800 500。
MCH6534-TL-E是TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH，包括15V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、200mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于6-MCPH，以及MCH6534系列，该器件也可以用作550mW最大功率。此外，Pd功耗为0.5W，该器件采用带卷（TR）封装，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，频率转换为330MHz，发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@10mA，2V，直流集电极基极增益hFE最小为300，集电极Ic最大值为700mA，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为700 mA，集极-发射极电压VCEO最大值为15 V。
MCH6536-TL-E是TRANS NPN/PNP 15V/12V 6MCPH，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于700mA、500mA集流器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于300@10mA、2V，具有330MHz、490MHz等频率转换特性。安装类型设计用于表面安装，以及6-SMD扁平引线封装盒，该器件也可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外，功率最大值为550mW，该设备采用6-MCPH供应商设备包提供，该设备具有晶体管型NPN、PNP，Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@10mA、200mA，集电极-发射极击穿最大值为15V、12V。
