SSM2212RZ-R7是双NPN匹配晶体管对，专门设计用于满足超低噪声音频系统的要求。
SSM2212RZ-R7具有极低的输入基极扩展电阻（rbb’通常为28Ω）和高电流增益（当IC=1 mA时，hFE通常超过600），可以实现出色的信噪比。与采用商用单片放大器的系统相比，高电流增益导致了优异的性能。
电流增益（ΔhFE）与约0.5%的良好匹配以及典型的小于10μV的低VOS使SSM2212RZ-R7成为对称平衡设计的理想选择，从而减少高阶放大器谐波失真。
通过基极-发射极结两端的保护二极管来保证匹配参数的稳定性。这些二极管防止了由于基极-发射极结的反向偏置而导致的β和匹配特性的退化。
SSM2212RZ-R7也是精确可靠的电流偏置和镜像电路的理想选择。此外，由于电流镜的精度随着晶体管对之间VBE的失配而呈指数下降，因此SSM2212RZ-R7的低VOS在大多数电路应用中不需要偏移微调。
SSM2212RZ-R7 SOIC的性能和特性在−40°C至+85°C的扩展温度范围内得到保证。
SSM2212RZ-R7有8引线SOIC和16引线LFCSP封装。
特色
- 极低电压噪声：1nV/√Hz max@100Hz
- 出色的电流增益匹配：0.5%
- 低偏置电压（VOS）：最大200μV（SOIC）
- 出色的偏置电压漂移：0.03μV/°
- 高增益带宽产品：200MHz
（图片：引出线）
