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RN2605(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SM6
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 集电极击穿电压 50V
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 晶体管类别 2 PNP-预偏置(双)
  • 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 250A, 5毫安
  • 发射极电阻 (R2) 47kOhms
  • 特征频率 200MHz
  • 最小直流增益 80 @ 10毫安, 5V
  • 最大功率 300mW
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 供应商设备包装 SM6

RN2605(TE85L,F) 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:PNP×2
  • 内部连接:2-in-1(点对称)
  • 补充产品:RN1602
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:10 kΩ
  • 装配底座:10 kΩ

应用

一般用途
RN2605(TE85L,F)所属分类:预偏置双极晶体管阵列,RN2605(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RN2605(TE85L,F)价格参考¥1.633998,你可以下载 RN2605(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RN2605(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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