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EMD5DXV6T1

  • 描述:晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 7885

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  • 单价: ¥0.28972
  • 数量:
    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 集电极击穿电压 50V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@300A、 10毫安
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 特征频率 -
  • 最大功率 500mW
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 SOT-563
  • 基极电阻 (R1) 4.7kOhms, 47kOhms
  • 最小直流增益 80 @ 5毫安, 10V / 20 @ 5毫安, 10V
  • 发射极电阻 (R2) 10千欧姆,47千欧姆

EMD5DXV6T1 产品详情

双双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的单个晶体管,该网络由两个电阻器组成:一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器。这些数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双双极数字晶体管通过将这些单个组件集成到单个设备中而消除了这些组件。在EMD5DXV6T1系列中,SOT?563封装中容纳了两个互补的BRT设备,这是低功率表面安装应用的理想选择,因为电路板空间非常大。

特色

  • 简化电路设计
  • 减少板空间
  • 无铅焊料电镀

应用

  • 减少组件数量


(图片:引出线)

EMD5DXV6T1所属分类:预偏置双极晶体管阵列,EMD5DXV6T1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EMD5DXV6T1价格参考¥0.289716,你可以下载 EMD5DXV6T1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EMD5DXV6T1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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