9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5313DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5313DW1T1G参考价格为0.41000美元。onsemi SMUN5313DW1T1G包装/规格：TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88。您可以下载SMUN5313DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5311DW1T2G是集成电路CPLD 192MC 4.7NS 100TQFP，包括MAXR II系列，它们设计用于MAX II产品，包装如数据表注释所示，用于托盘，提供单位重量功能，如0.023175盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及MAX II商品名，该设备也可以用作100-TQFP包装盒，其工作温度范围为0°C~85°C（TJ），该设备为表面安装安装型，该设备具有100-TQFP（14x14）的供应商设备封装，存储器类型为闪存，可编程类型为系统内可编程，延迟时间tpd 1最大值为4.7ns，内部电源电压为1.71 V~1.89 V，逻辑元件块数为240，宏单元的数量为192，门的数量为，I/O的数量为80，最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，工作电源电压为1.8 V，工作电源电流为40 mA，最大工作频率为304 MHz，电源电压Max为1.89 V，电源电压Min为1.71 V，传播延迟最大值为4.7ns，I/O数量为80I/O，逻辑阵列块LAB数量为24，逻辑元件数量为240，总内存为8192位。
带有用户指南的SMUN5311DW1T3G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表说明中显示了用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双）的晶体管类型，提供了供应商设备包功能，如SOT-363，该系列设计用于MUN5311DW1，以及10k电阻发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作10k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为187mW，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止电流最大值为500nA。
SMUN5312DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363，包括500nA集电器截止电流最大值，它们设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce，如数据表注释所示，用于60@5mA、10V的环境，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作187mW的最大功率。此外，电阻基极R1欧姆为22k，该器件提供22k电阻发射极基极R2欧姆，该器件具有MUN5312DW1系列，供应商器件封装为SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@300μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
