9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5235DW1T1G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5235DW1T1G参考价格为0.41000美元。onsemi SMUN5235DW1T1G包装/规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363。您可以下载SMUN5235DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SMUN5235DW1T1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SMUN5233DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363,包括MUN5233DW1系列,设计用于带卷(TR)包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000265盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外,该配置为双重配置,该设备以187mW功率最大值提供,该设备具有2 NPN-预偏置(双重)晶体管型,集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为50V,电阻器基极R1欧姆值为4.7k,电阻器基极R2欧姆值为47k,直流电流增益hFE最小Ic Vce值为80@5mA,10V,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@1mA,10mA,集电极截止最大值为500nA,Pd功耗为250mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V,晶体管极性为NPN,连续集电极电流为0.1 A,DC集电极基极增益hfe Min为80,典型输入电阻为4.7千欧,典型电阻比为0.1。
SMUN5232T1G是双极晶体管-预偏置SS BR XSTR NPN 50V,包括MUN5232系列,它们设计用于卷筒包装。
SMUN5233T1G是双极晶体管-预偏置SS BRT NPN 50V PB FR,包括卷筒包装,设计用于MUN5233系列。